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3C-SiC導(dǎo)熱吸波粉具有晶型完整、導(dǎo)熱系數(shù)高，吸波性能好，電子遷移率、擊穿電場強(qiáng)度、相對介電常數(shù)等電學(xué)性能各向同性等特點(diǎn)。3C- SiC純度：SiC≥99%。堆積密度：1.3～2.0g/cm<sup>3</sup>。 產(chǎn)品規(guī)格：0.5μm～40μm，可根據(jù)用戶需求定制。
納米SiC導(dǎo)熱吸波粉具有納米粒度分布窄、純度高、堆積密度高、絕緣性能好等優(yōu)點(diǎn)。經(jīng)過表面改性和造粒制成的納米SiC造粒粉，具有密度大、球度一致性好、填充性能好、導(dǎo)熱系數(shù)高等優(yōu)點(diǎn)。造粒粉粒度范圍為10μm～120μm，可根據(jù)用戶需求定制；流動性指數(shù)可達(dá)94，休止角達(dá)20o。<br/> 產(chǎn)品規(guī)格：30μm～100μm，可根據(jù)用戶需求定制。
由高純度(99.99%~99.9999%)、精細(xì)(0~0.1μm)微粉和粒度為50~800μm的單晶β-SiC做母源，經(jīng)氣相沉積法可制造各種單晶碳化硅，其優(yōu)異的導(dǎo)電、導(dǎo)熱、耐磨、耐高溫、耐腐蝕性使其在軍工、航天、航空、電子行業(yè)等高尖端領(lǐng)域用來替代電子級單晶硅和多晶硅，成為當(dāng)前高科技領(lǐng)域公認(rèn)的第三代半導(dǎo)體材料和LED等應(yīng)用的電子封裝、基板材料。
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